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NTGS1135P
TYPICAL CHARACTERISTICS
3000
5.0
2500
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
4.0
Qt
2000
3.0
1500
1000
2.0
Q gs
Q gd
500
0
0
C rss
1
2
3
4
5
C oss
6
7
8
1.0
0
0
2.0 4.0
6.0 8.0
10
12
14
16
T J = 25 ° C
I D = ? 4.6 A
18 20
22
1000
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
1.4
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Charge
100
V DD = ? 8 V
I D = ? 4.6 A
V GS = ? 4.5 V
t d(off)
t f
1.2
1.0
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t r
t d(on)
0.8
0.6
0.4
0.2
1.0
1.0
10
100
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
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